SunEvo Solar Photovoltaic Solar Panel Module
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EVO5N 600W Bifacial N-tipo HJT 144 Celdas Módulo solar 580W 585W 590W 595W 600W

Los módulos bifaciales de la serie E VO 5N combinan el proceso de  obtención y la tecnología μc-Si de un solo lado para garantizar una mayor eficiencia de la celda y una mayor potencia del módulo. Rendimiento de generación de energía más estable e incluso mejor en climas cálidos. La estructura bifacial simétrica natural aporta más rendimiento energético desde la parte trasera.

  • marca:

    SunEvo
  • Rango de poder :

    580W~600W
  • eficiencia máxima. :

    23.23%
  • número de celdas :

    144 (6×24)
  • dimensiones del módulo L*W*H :

    2279 × 1134 × 30mm
  • peso :

    31.5kgs
  • vidrio del lado frontal :

    2.0mm coated semi-tempered glass
  • vidrio de la parte trasera :

    2.0mm semi-tempered glass
  • marco :

    Anodized aluminium alloy
  • caja de conexiones :

    Ip68 rated (3 bypass diodes)
  • cable :

    4mm² , 300mm (+) / 300mm (-), Length can be customized
  • carga de viento/nieve :

    5400Pa
  • conector :

    MC4 compatible
  • bifacialidad :

    80±5%

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E VO 5N N-type HJT 144 Half Cells 580W 585W 590W 595W 600W  Módulo solar bifacial de doble vidrio

Los módulos bifaciales de la serie E VO  5N combinan el proceso de obtención y la tecnología μc-Si de un solo lado  para garantizar una mayor eficiencia de la celda y una mayor potencia del módulo. Rendimiento de generación de energía más estable e incluso mejor en  climas cálidos. La estructura bifacial simétrica natural aporta más  rendimiento energético desde la parte trasera.

 

Parámetros Eléctricos (STC*)

Potencia Máxima (Pmax/W)

580

585

590

595

600

Tensión de alimentación máxima (Vmp/V)

45.00

45.21

45.42

45.63

45.84

Corriente de potencia máxima (Imp/A)

12.89

12.94

12.99

13.04

13.09

Voltaje de circuito abierto (Voc/V)

53.92

54.12

54.31

54.50

54.70

Corriente de cortocircuito (Isc/A)

13.35

13.40

13.45

13.50

13.55

Eficiencia del módulo (%)

22.45

22.65

22.84

23.03

23.23

Tolerancia de salida de potencia (W)

0/+5W

Coeficiente de temperatura de Isc

+0,040 %/°C

Coeficiente de temperatura de Voc

-0,240 %/°C

Coeficiente de temperatura de Pmax

-0,260 %/°C

 

Ganancia de potencia de salida bifacial trasera
5% Potencia Máxima (Pmax/W) 641 646 652 657 663
Módulo Eficiencia STC(%) 23.57 23.78 23.98 24.18 24.39
15% Potencia Máxima (Pmax/W) 667 673 679 684 690
Módulo Eficiencia STC(%) 25.82 26.05 26.27 26.48 26.71
25% Potencia Máxima (Pmax/W) 725 731 738 744 750
Módulo Eficiencia STC(%) 28.06 28.31 28.55 28.79 29.04
 
 
Dificultades técnicas de las tecnologías PV Module PERC, TOPCon y HJT

1. Dificultades Técnicas:

10 u 11 pasos en el proceso PERC, como dos láseres, una expansión de fósforo y recubrimiento de doble cara;

TOPCon agrega dióxido de silicio y proceso de revestimiento de polisilicio, y se requiere expansión de boro en la parte delantera, pero no hay apertura de láser y hay un método húmedo;

De hecho, HJT solo comienza con la limpieza, el recubrimiento de doble cara de silicio microcristalino o silicio amorfo, luego ITO y luego la sinterización de pantalla de seda. Solía ​​ser muy simple, solo 4 pasos, pero ahora las obleas de silicio aún necesitan ser procesadas. Solía ​​ser un proceso a baja temperatura. en 8 pasos.

De hecho, la primera gran dificultad de TOPCon es la expansión de boro y la segunda es LPCVD. El revestimiento de un solo lado y el revestimiento de bobinado posterior son más serios y la tasa de rendimiento no es alta.

Este problema se resuelve básicamente después de la expansión de doble cara, pero todavía hay muchos problemas en LPCVD. La pared del tubo se enchapa muy rápidamente. Las cosas de 150 nm están hechas de 10 hornos de 1,5 um, y la pared del tubo se enchapa rápidamente en la pared del tubo. La pared del tubo debe limpiarse con frecuencia, pero el proceso de baja presión del LPCVD debe laminarse requiere tubos de cuarzo gruesos y debe limpiarse al mismo tiempo, lo cual es un problema relativamente grande.

Ahora se utiliza una carcasa doble, el exterior está laminado y el interior está recubierto con una capa de película. A menudo se saca para la limpieza. Aunque esto es mejor, requiere algunos procedimientos. La llamada tasa de operación se verá afectada porque se requiere mantenimiento.

La expansión real del boro en sí es algo difícil. Los pasos del proceso son relativamente largos, lo que da como resultado una pérdida de rendimiento relativamente grande, y hay algunos problemas potenciales que pueden causar fluctuaciones en el rendimiento y en la línea de producción, quemado por difusión y película de polisilicio quemada por pasta de plata, lo que resulta en daños por pasivación y alto rendimiento. procesos de temperatura que dañan las obleas de silicio;

Una de las dificultades de HJT es que PECVD mantiene la purificación, que debe estar cerca del proceso de semiconductores, y los requisitos de pureza son más estrictos que antes de la difusión TOPCon. Después de HJT2.0 y 3.0, debido a que la tasa de dilución de hidrógeno aumenta, la tasa de deposición debe acelerarse y se introduce una alta frecuencia, lo que conducirá a la uniformidad. disminución del sexo.

Además, también está el tema del costo, cómo reducir la cantidad de pasta de plata y mejorar aún más la estabilidad de la batería.

2. Dificultad de costo:

Topcon también tiene puntos débiles, uno es la tasa de rendimiento relativamente baja y el otro es CTM. La baja tasa de rendimiento aumenta el costo, y el CTM es relativamente bajo y la potencia real del componente es significativamente diferente. También es relativamente difícil mejorar la eficiencia y no hay mucho espacio para mejorar en el futuro, porque la frecuencia del mantenimiento del equipo es relativamente alta; La dificultad económica de HJT es que el consumo de lodo es relativamente grande. Uno es cómo reducir la cantidad y cómo reducir el precio. Además, la CTM es relativamente baja. Los requisitos de preparación de cristalitos también están involucrados, lo que afecta el costo y la tecnología.

3. Proceso de elaboración:

Muchas personas me pidieron que enumerara la división de costos. De hecho, no creo que la división de costos sea muy significativa. Puede ver que la reducción de costos depende de la lógica, es decir, qué lógica se usa para reducir el costo. Compare estos tres procesos, como comparar qué tan alta es la temperatura de estos tres. PERC tiene 3 procesos de alta temperatura, uno para expansión de fósforo a 850 °C, dos para recubrimiento a 400-450 °C y sinterizado a 800 °C. Los procesos de alta temperatura TOPCon incluyen expansión de boro a 1100-1300 °C, expansión de fósforo a 850 °C, LPCVD a 700-800 °C, dos recubrimientos a 450 °C y sinterización a 800 °C. Hay muchos procesos de alta temperatura, alta carga de calor, alto consumo de energía y costo.

No se puede ver en la inversión en materiales y equipos, pero de hecho, desde la perspectiva de las facturas de electricidad, es al menos más alto que el PERC. Si HJT no absorbe impurezas, en realidad es 200 °C, PE a 200 °C, sinterización a 200 °C y PVD a 170 °C. Por lo tanto, es una temperatura muy baja y el tiempo de baja temperatura no es largo, porque el tiempo de recubrimiento es muy corto y, a menudo, se recubre con un espesor de 2 nm, 3 nm y 10 nm.

Sin embargo, el tiempo de lixiviación es relativamente largo, lixiviando una placa de soporte durante 8 minutos desde el principio hasta el final. La cantidad de una placa portadora es menor que la de un PECVD tubular, y la difusión del PECVD tubular es de 2400°C o 1200°C, mientras que una placa portadora 12*12=144 viaja más rápido pero la cantidad también es pequeña.

Esto es algo comparable, en resumen, la temperatura es relativamente baja. Pero si se realiza una captación rápida de fósforo, el proceso puede alcanzar los 1000 °C, pero la duración es corta, solo 1 minuto, y la carga de calor total es mucho menor que TOPCon.

Veamos nuevamente el proceso húmedo: PERC es 3 veces, TOPCon es 5 veces, HJT solía tener solo una vez de texturizado sin absorber impurezas, y solo una pieza de equipo, lo cual es muy simple. Si se acumula suciedad, lave/elimine el daño antes de que el eliminador lo recoja, hay terciopelo en la parte posterior y el proceso húmedo es muy corto.

El proceso de vacío de PERC incluye expansión de fósforo y dos PECVD, los cuales también son de vacío, pero el grado de vacío es relativamente bajo y una bomba de varilla es suficiente.

El grado de vacío de TOPCon es relativamente alto y la expansión de fósforo, la expansión de boro, LPCVD y PECVD se realizan dos veces cada vez. El grado de vacío no es alto, y 5 veces de bomba de varilla de vacío son suficientes.

Hay dos procesos HJT, uno es PECVD y el otro es PVD. PVD requiere un grado de vacío relativamente alto y utiliza una bomba molecular, por lo que consumirá más energía en términos de requisitos de vacío.

Todo el proceso depende del costo actual y del proceso de reducción de costos futuros, y el consumo de energía y las pérdidas causadas por el proceso simple serán mucho menores.

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