Los módulos bifaciales de la serie E VO 5N combinan tecnología TOPCon de tipo N líder, oblea de silicio de 182 mm y media celda . La vida útil de 30 años brinda entre un 10 y un 30 % de generación de energía adicional en comparación con los módulos de tipo P convencionales. El módulo de media celda bifacial tipo N de SunEvo puede alcanzar un rango de potencia de salida entre 605 W y 625 W.
marca:
SunEvoRango de poder :
605W~625Weficiencia máxima. :
22.36%número de celdas :
156 (6×26)dimensiones del módulo L*W*H :
2465 x 1134 x 30mmpeso :
34.5kgsvidrio del lado frontal :
2.0mm coated semi-tempered glassvidrio de la parte trasera :
2.0mm semi-tempered glassmarco :
Anodized aluminium alloycaja de conexiones :
Ip68 rated (3 bypass diodes)cable :
4mm² , 300mm (+) / 300mm (-), Length can be customizedcarga de viento/nieve :
5400Paconector :
MC4 compatiblebifacialidad :
80±5%E VO 5N Tipo N TOPCon 156 Medias celdas 605W 610W 615W 620W 625W Módulo solar de doble vidrio bifacial
Los módulos bifaciales de la serie E VO 5N combinan tecnología TOPCon de tipo N líder, oblea de silicio de 182 mm y media celda. La vida útil de 30 años brinda entre un 10 y un 30 % de generación de energía adicional en comparación con los módulos de tipo P convencionales. El módulo de media celda bifacial tipo N de SunEvo puede alcanzar un rango de potencia de salida entre 605 W y 625 W.
Parámetros Eléctricos (STC*)
Potencia Máxima (Pmax/W) |
605 |
610 |
615 |
620 |
625 |
Tensión de alimentación máxima (Vmp/V) |
45.63 |
45.76 |
45,90 |
46.03 |
46.16 |
Corriente de potencia máxima (Imp/A) |
13.26 |
13.33 |
13.40 |
13.47 |
13.54 |
Voltaje de circuito abierto (Voc/V) |
55.30 |
55.41 |
55.53 |
55.64 |
55.75 |
Corriente de cortocircuito (Isc/A) |
13.97 |
14.04 |
14.11 |
14.18 |
14.25 |
Eficiencia del módulo (%) |
21.64 |
21.82 |
22.00 |
22.18 |
22.36 |
Tolerancia de salida de potencia (W) |
0/+5W |
||||
Coeficiente de temperatura de Isc |
+0,045 %/°C |
||||
Coeficiente de temperatura de Voc |
-0,250 %/°C |
||||
Coeficiente de temperatura de Pmax |
-0,290 %/°C |
5% | Potencia Máxima (Pmax/W) | 635 | 641 | 646 | 651 | 656 |
Módulo Eficiencia STC(%) | 22.73 | 22.91 | 23.10 | 23.29 | 23.48 | |
15% | Potencia Máxima (Pmax/W) | 696 | 702 | 707 | 713 | 719 |
Módulo Eficiencia STC(%) | 24.89 | 25.10 | 25.30 | 25.51 | 25.71 | |
25% | Potencia Máxima (Pmax/W) | 756 | 763 | 769 | 775 | 781 |
Módulo Eficiencia STC(%) | 27.05 | 27.28 | 27.50 | 27.73 | 27.95 |
1. Texturizado
La sección de texturizado (un total de 6 líneas) incluye a su vez
limpieza previa
Lavado con agua pura antes del terciopelo.
Texturizado*3
Lavado con agua pura después del terciopelo.
despues de limpiar
Después del lavado, lavar con agua pura.
decapado
Lavado con agua pura después del decapado
Pre-deshidratación de tracción lenta
secado*5 etc
2. Difusión de boro
El propósito del proceso de difusión es formar una unión PN en la oblea de silicio para realizar la conversión de energía luminosa en energía eléctrica. El equipo de fabricación de uniones PN es un horno de difusión. El proyecto utiliza tricloruro de boro gaseoso para difundir la oblea de silicio en el horno de difusión. Los átomos de boro se difunden en la oblea de silicio y forman una capa de vidrio de borosilicato en la superficie de la oblea de silicio. La ecuación principal de la reacción es:
4BCl3+3O2→2B2O3+6Cl2↑
2B2O3+3Si→3SiO2+4B
3. Redopaje con láser SE
La tecnología de dopaje láser consiste en dopar fuertemente la parte de contacto de la línea de rejilla metálica (electrodo) y la oblea de silicio, mientras mantiene el dopaje ligero (dopaje de baja concentración) fuera del electrodo. La predifusión se lleva a cabo en la superficie de la oblea de silicio por difusión térmica para formar dopaje ligero; al mismo tiempo, la superficie BSG (vidrio de borosilicato) se utiliza como fuente de dopaje pesado láser local. A través del efecto térmico local del láser, los átomos en el BSG se difunden rápidamente en la oblea de silicio por segunda vez para formar una región local de fuerte dopaje.
4. Post-oxidación
Cuando la superficie de la oblea de silicio se trata con láser SE, la capa de óxido de la superficie de difusión de boro (superficie incidente de la luz) es destruida por la energía puntual del láser. Durante el pulido y grabado alcalino, se requiere una capa de óxido como capa de máscara para proteger la superficie de difusión de fósforo (superficie incidente de la luz) de la oblea de silicio. Por lo tanto, es necesario reparar la capa de óxido en la superficie escaneada por láser SE.
5. Dopaje in situ por depósito POPAID
El proceso POPAID es un proceso clave para integrar el revestimiento de placa preparado por la capa de óxido de túnel y la capa de silicio dopado.
6. recocido
Coloque la oblea de silicio en un tubo de reacción hecho de vidrio de cuarzo, y el tubo de reacción se calienta mediante un horno de calentamiento de alambre de resistencia a una temperatura determinada (la temperatura comúnmente utilizada es de 900 a 1200 °C, y puede reducirse a menos de 600 °C en condiciones especiales). Cuando el oxígeno pasa a través del tubo de reacción, se produce una reacción química en la superficie de la oblea de silicio:
Si (estado sólido) + O2 (estado gaseoso) → SiO2 (estado sólido)
7. Limpieza BOE
Tanque de decapado * 2
lavado
Después del decapado (HCL/HF/DI)
lavado
levantamiento lento
secado*6
8. Recubrimiento frontal
El principio básico es usar fotodescarga de alta frecuencia para generar plasma para afectar el proceso de deposición de la película, promover la descomposición, combinación, excitación e ionización de moléculas de gas y promover la generación de grupos reactivos.
Las principales reacciones químicas que ocurren durante la deposición de PECVD de películas de oxinitruro de silicio son:
SiH4+NH3+N2O→xSi2O2N4+N2↑+yH2↑
9. Revestimiento trasero
Las principales reacciones químicas que ocurren durante la deposición de PECVD de películas de oxinitruro de silicio son:
SiH4+NH3+N2O→xSi2O2N4+N2↑+yH2↑
10. Metalización
1) impresión
Durante el proceso de impresión, la suspensión está sobre la pantalla y el raspador se presiona contra la pantalla con cierta presión, de modo que la pantalla se deforma y entra en contacto con la superficie de la oblea de silicio. La suspensión toca la superficie de la oblea de silicio a través de la extrusión; la superficie de la oblea de silicio tiene una fuerte fuerza de adsorción, que arrebata la suspensión de la malla. En este momento, el raspador está en funcionamiento y la plantilla previamente deformada hará que la suspensión caiga suavemente sobre la superficie de la oblea de silicio bajo la acción de una buena fuerza de restauración. Entre ellos, la pasta de plata es una pasta de impresión en pasta hecha de plata ultrafina de alta pureza y polvo de aluminio como metal principal, y una cierta cantidad de aglutinante orgánico y resina como agentes auxiliares.
2) sinterización
La sinterización consiste en sinterizar la pasta de rejilla fina principal impresa en la oblea de silicio en una celda a alta temperatura para que los electrodos queden incrustados en la superficie, formando un contacto mecánico firme y una buena conexión eléctrica, y finalmente formando un contacto óhmico entre el electrodo y la oblea de silicio.
3) Electroinyección
Después de sinterizar las células, se utiliza el método de inyección eléctrica directa de portadores (inyección inversa de corriente continua) para cambiar el estado de carga del hidrógeno en el cuerpo de silicio, de modo que el complejo de boro-oxígeno atenuado pueda pasivarse y transformarse en una ecología regenerativa estable, y finalmente lograr el propósito de la descomposición anti-luz.
11. Embalaje de prueba
Después de fabricar la celda solar, los parámetros de rendimiento eléctrico de la celda solar se probarán con instrumentos de prueba (como la medición de su curva IV y la tasa de conversión de luz y otros parámetros eléctricos). Una vez completada la prueba, la batería se dividirá automáticamente en varios niveles de acuerdo con ciertos estándares.